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申博sunbet开户:实现了高质量石墨烯的外延二氧化硅绝缘嵌层在金属表面

时间:2021/6/10 11:58:13   作者:   来源:   阅读:18   评论:0
内容摘要:石墨烯独特的结构包含着丰富而新颖的物理性质,不仅为基础科学提供了重要的研究平台,而且在电子、光电子、柔性器件等领域显示出广阔的应用前景。为了充分发挥石墨烯的优异性能,实现其工业生产和应用,有必要找到一种合适的材料制备方法,制备石墨烯可以同时满足大面积的条件,高质量,并兼容现有硅过程。目前,大面积、高质量的石墨烯单晶通常...

石墨烯独特的结构包含着丰富而新颖的物理性质,不仅为基础科学提供了重要的研究平台,而且在电子、光电子、柔性器件等领域显示出广阔的应用前景。为了充分发挥石墨烯的优异性能,实现其工业生产和应用,有必要找到一种合适的材料制备方法,制备石墨烯可以同时满足大面积的条件,高质量,并兼容现有硅过程。目前,大面积、高质量的石墨烯单晶通常是通过在过渡金属表面外延生长获得的,但随后的复杂转移过程往往导致石墨烯质量下降和界面污染,阻碍了石墨烯的电子生长。设备应用程序。

近年来,高Hongjun,中国科学院的院士,研究员的纳米物理学和设备重点实验室中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心,在准备,领导一个团队石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的性质控制及应用。进行了研究和探索,取得了一系列研究成果。在前期的研究工作中,研究人员发现石墨烯外延生长在过渡金属表面具有面积大、质量好、连续、层数可控等优点;在此基础上进一步发展了非均相元素插层技术,使用该技术可有效避免复杂的石墨烯转移过程,使大面积、高质量的石墨烯单晶可以放置在非均相元素插层基底上而不损伤。随后,研究人员揭示了石墨烯非破坏性插层的普遍机理;利用这种插层技术,实现了在空气中稳定存在的石墨烯/硅烯异质结的构建,并实现了石墨烯电子结构的调控。

在上述研究的基础上,研究团队博士后郭辉、博士生王雪岩、副总工程师黄力等通过不断努力,实现了高质量石墨烯的外延二氧化硅绝缘嵌层在金属表面,并原位构建。石墨烯电子设备。研究人员在Ru(0001)表面实现了厘米大小的单晶石墨烯的外延生长;在此基础上,他们发展了一种分步插入技术。通过在同一样品上插入硅和氧两种元素,在与Ru衬底的界面上生长出石墨烯二氧化硅薄膜;随着硅和氧插层量的增加,界面处的二氧化硅逐渐变厚,其结构由结晶态t改变


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